[据英国自然杂志官方网站2020年4月10日报道] 石墨烯互连技术在基于下一代磁量子点元胞自动机(MQCA)的纳米电子应用中将替代铜互连技术。印度理工学院采用两步光刻工艺在二氧化硅/硅衬底上实现了化学气相沉积单层石墨烯构图，与现有的基于石墨烯的互连技术相比，采用该工艺使电流密度提高了一个数量级。
研究人员评估了所制备的石墨烯互连的电性能，并研究了温度和尺寸对电流密度和可靠性的影响。二氧化硅/硅衬底上的0.3微米石墨烯互连的最大电流密度为1.18 ×108 安/平方厘米，分别比常规使用的铜互连和化学气相沉积生长的石墨烯的最大电流密度高约两个数量级和一个数量级。同时，研究人员发现随着互连宽度的减小，温度的灵敏度也降低。利用Matlab对实验数据分析了电阻率对击穿电流密度的影响，证明其符合幂律方程，击穿电流密度与石墨烯互连电阻率具有倒数关系，表明焦耳热是击穿的可能机制。该技术在芯片时钟领域具有极大的应用优势。（国家工业信息安全发展研究中心 李铁成）
