[据半导体文摘网站2020年3月17日报道] 近日，美国佐治亚理工学院在美国海军研究办公室（ONR）“多学科大学研究计划”（MURI）项目的支持下，开发出室温集成氮化镓和金刚石的表面活化键合技术，可有效提升氮化镓器件的散热能力。
近年来，基于氮化镓材料的高电子迁移率晶体管(HEMTs)应用广泛，但受限于散热能力，其性能大打折扣，将氮化镓器件与高导热率衬底的集成可以提升器件的散热能力。该技术在高真空环境中使用离子源首先清洁氮化镓和金刚石的表面，通过产生悬挂键来活化表面。在离子束中引入少量的硅有助于在室温下形成强原子键，允许氮化镓和单晶金刚石的直接键合来制造高电子迁移率晶体管。
经测试，通过采用表面活化键合技术，在器件最高温度为250摄氏度时，金刚石上氮化镓器件的功率密度是碳化硅上氮化镓器件的2.5倍，是硅上氮化镓器件的5.4倍。未来，该技术有望应用于无线发射机、雷达、卫星设备以及其他高功率和高频电子设备。（国家工业信息安全发展研究中心 李茜楠）
